劉偉景

研究方向：

集成電路與器件物理層設計：矽基新型器件(GAAFET/TFET)等器件設計、關鍵工藝模拟設計、單元電路設計；集成電路核心器件直流、射頻、統計、RC等模型構建及所需測試結構及測試電路設計；集成電路器件可靠性、GaN\SiC\GaO器件及系統研發；先進微納結構光電信息器件及系統研發。